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应用STripFET技术的新低压场效应MOS晶体管

发布时间:2020-07-21 18:19:26 阅读: 来源:瓶阀厂家

意法半导体(纽约证券交易所:STM)推出多个基于其STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管,这些产品的设计目标是超高开关频率的应用,对计算机主板和电信客户极具吸引力。

STripFET采用优化的布局和最新的制程,提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性。低栅电荷特性使开关特性十分优秀,低栅电阻意味着瞬间响应速度快。这项技术还创造了极低的灵敏系数,等于降低了导通和开关损耗。

意法半导体发布的新产品包括STS12NH3LL, STSJ50NH3LL, STD55NH2LL, STD95NH02L, STL8NH3LL和STL50NH3LL。

STS12NH3LL是一款 30V的器件,额定电流12A。STSJ50NH3LL 是一款 30V的器件,额定电流 50A。两款产品在10V时典型通态电阻均是0.008 欧姆,在4.5V时,通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。

STS12NH3LL有用一个 SO-8 封装, STSJ50NH3LL 采用一个PowerSO-8 封装。

STD55NH2LL是一款 24V的器件,额定电流55A。10V时,典型通态电阻0.01 欧姆,4.5V时, 0.012 欧姆。这款器件为高频直流-直流变换器而设计,它采用IPAK (TO-251) 通孔封装和表面组装DPAK (TO-252)封装。

STD95NH02L是一款 24V的器件,额定电流80A。在5V时,典型通态电阻0.0039欧姆,5V时, 0.0055欧姆。由于栅电荷极低,在10V时,这款器件的典型灵敏系数值为136.5nC*Qg,这是目前市场上的最高水准,它采用表面组装DPAK (TO-252)封装。

STL8NH3LL 和 STL50NH3LL 目前采用PowerFLATTM 封装,改进了芯片-占板尺寸比,降低了封装外廓尺寸和热阻。

STL8NH3LL是一款30V 的器件,额定电流 8A。在10V时,通态电阻0.012欧姆,采用一个 3.3 x 3.3mm 的PowerFLATTM 封装。

STL50NH3LL是一款30V 的器件,额定电流 27A。在10V时,典型通态电阻0.011欧姆,采用一个 6 x 5mm 的PowerFLATTM 封装。

这两款产品都用于隔离型直流-直流变换器的同步整流电路,以及降压变换器的控制场效应FET晶体管。

所有产品都已上市销售,定购30万件的,单价区间在0.285到0.485美元之间。

16 数据可视化

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